Cours Everspin Technologies, Inc.

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MRAM

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Semi-conducteurs

Marché Fermé - Nasdaq 22:00:00 23/04/2024 Varia. 5j. Varia. 1 janv.
7,37 USD +1,24 % Graphique intraday de Everspin Technologies, Inc. -2,90 % -18,47 %
CA 2024 * 60,05 M 56,11 M CA 2025 * 70 M 65,41 M Capitalisation 158 M 147 M
Résultat net 2024 * 5 M 4,67 M Résultat net 2025 * - VE / CA 2024 * 2,62 x
Trésorerie nette 2024 * - 0 Trésorerie nette 2025 * - 0 VE / CA 2025 * 2,25 x
PER 2024 *
28 x
PER 2025 *
-
Employés 83
Rendement 2024 *
-
Rendement 2025 *
-
Flottant 94,82 %
Graphique dynamique
1 jour+1,24 %
1 semaine-2,90 %
Mois en cours-6,94 %
1 mois-8,33 %
3 mois-16,15 %
6 mois-27,60 %
Année en cours-18,47 %
Plus de cotations
1 semaine
7.21
Extrême 7.21
7.64
1 mois
7.21
Extrême 7.21
8.25
Année en cours
7.21
Extrême 7.21
9.39
1 an
6.20
Extrême 6.2
10.50
3 ans
4.71
Extrême 4.71
14.36
5 ans
1.75
Extrême 1.75
14.36
10 ans
1.75
Extrême 1.75
25.39
Plus de cotations
Dirigeants TitreAgeDepuis
Chief Executive Officer 56 01/03/10
Director of Finance/CFO 45 01/10/20
Chairman 64 20/08/18
Administrateurs TitreAgeDepuis
Chairman 64 20/08/18
Director/Board Member 89 01/06/08
Director/Board Member 65 03/12/18
Plus d'insiders
Date Cours Variation Volume
22/04/24 7,28 +0,14 % 71 348
19/04/24 7,27 -2,94 % 67 841
18/04/24 7,49 +0,54 % 58 535
17/04/24 7,45 -1,84 % 47 201
16/04/24 7,59 +0,26 % 57 058

Cours en différé Nasdaq, Le 23 avril 2024 à 22:00

Plus de cotations
Everspin Technologies, Inc. fournit des solutions de mémoire vive magnéto-résistive (MRAM). Les solutions MRAM de la société offrent une mémoire non volatile avec la vitesse et l'endurance de la mémoire vive (RAM) et permettent de protéger les données critiques, en particulier en cas de coupure de courant ou de panne. Son portefeuille de technologies MRAM comprend la Toggle MRAM et la Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Les produits Toggle MRAM sont dotés d'interfaces standard, notamment des interfaces parallèles, SPI (Serial Peripheral Interface) et QSPI (Quad SPI). Sa technologie STT-MRAM fournit des produits pour les applications de mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM), SRAM et NOR Flash. Elle propose ses produits avec des interfaces dérivées DDR3 et DDR4, ce qui facilite le remplacement de la DRAM sur batterie par la STT-MRAM. Ses capteurs 3D à magnétorésistance à effet tunnel (TMR) offrent une grande sensibilité magnétique dans un composant unique qui effectue des mesures de champ magnétique en 3D dans une solution monolithique.
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