Magnachip Semiconductor Corporation a annoncé que la société avait mis sur le marché deux transistors à effet de champ MXT à métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) de septième génération, construits sur sa technologie Super-Short Channel, pour les modules de circuit de protection de la batterie dans les smartphones. Super-Short Channel est la dernière technologie de conception de Magnachip permettant de raccourcir la longueur du canal entre la source et le drain afin de réduire de manière significative RDS(on) et les pertes de conduction pendant le fonctionnement à l'état passant. Magnachip applique d'abord cette technologie au MOSFET 12V (MDWC12D028ERH) et au MOSFET 24V (MDWC24D031ERH) récemment commercialisés.

Grâce à la technologie Super-Short Channel, la taille de ces nouveaux MOSFET a été réduite de 20%, tandis que le RDS(on) des MDWC12D028ERH et MDWC24D031ER H est abaissé de 40% et 24%, respectivement, par rapport aux versions précédentes. Grâce à ces caractéristiques améliorées des produits, la perte de puissance est réduite lorsqu'une batterie se charge ou se décharge et une faible température de fonctionnement peut être maintenue pour une charge rapide de la batterie. Magnachip prévoit de lancer des MOSFET à canal super court de taille compacte avec une grande efficacité énergétique pour les petites batteries des dispositifs portables, tels que les montres intelligentes et les écouteurs, au cours du second semestre 2023.

MOSFEFETs MXT (MOSFETs à tranchée eXtreme de Magnachip) : Le portefeuille de produits de pointe de Magnachip en matière de MOSFET à tranchée, y compris les MOSFET à basse et moyenne tension (12V à 200V) RDS(on) : Résistance à l'état passant, la valeur de la résistance entre le drain et la source des MOSFETs pendant le fonctionnement à l'état passant.