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AIXTRON SE lance la nouvelle génération de la solution G10-SiC 200 mm pour l'épitaxie du carbure de silicium

13/09/2022 | 07:30

AIXTRON SE a lancé son nouveau système G10-SiC 200 mm pour la fabrication en grand volume de dispositifs de puissance en carbure de silicium ("SiC") de dernière génération sur des plaquettes SiC de 150/200 mm. Ce système CVD haute température, qui porte l'innovation à un niveau supérieur, vient d'être annoncé lors de la Conférence internationale sur le carbure de silicium et les matériaux connexes (ICSCRM), qui se déroule actuellement à Davos, en Suisse. Le SiC, matériau à large bande interdite, est en passe de devenir une technologie courante pour une électronique de puissance efficace.

Le SiC contribue de manière substantielle à la décarbonisation de la société moderne et soutient donc la protection du climat. Stimulée par l'adoption croissante des semi-conducteurs de puissance à base de SiC dans les solutions d'électromobilité, la demande mondiale de plaquettes de SiC augmente rapidement, accélérée par la motivation de réduire la dépendance vis-à-vis de l'approvisionnement en pétrole. Le nouveau système G10-SiC est construit sur la plate-forme établie G5 WW C 150 mm et offre une configuration flexible à deux tailles de plaquettes, 9x150 et 6x200 mm.

Cette caractéristique est essentielle pour la transition de l'industrie du SiC de 150 mm (6 pouces) à 200 mm (8 pouces) de diamètre de plaquette. La nouvelle plate-forme est construite autour d'une solution éprouvée de chargement automatisé de wafer de cassette à cassette avec transfert de wafer à haute température. Associée à des capacités de traitement à taux de croissance élevé, la G10-SiC offre le meilleur débit de plaquettes de sa catégorie et le meilleur débit au mètre carré pour utiliser efficacement l'espace limité des salles blanches disponibles dans les fabs de semi-conducteurs.

Le G10-SiC d'AIXTRON prend en charge une grande variété de structures de dispositifs, y compris les structures à couche de dérive simple et double répondant aux exigences strictes d'uniformité de 150 mm de valeurs sigma inférieures à 2 % pour le dopage et l'épaisseur. Le chargement automatisé des plaquettes réduit au minimum le risque de défauts de particules, ce qui se traduit par un nombre typique de défauts de < 0,02/cm2.

L'uniformité de la couche épitaxiale est essentielle pour atteindre un rendement élevé au niveau du dispositif. Le débit élevé du système, associé à de faibles coûts de consommation par plaquette traitée, se traduit par le coût par plaquette le plus bas de l'industrie.

© S&P Capital IQ 2022
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