STMicro et Soitec s'allient dans les substrats en carbure de silicium
Le 01 décembre 2022 à 08:38
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PARIS (Reuters) - STMicroelectronics et Soitec ont annoncé jeudi une coopération dans la technologie de fabrication de substrats en carbure de silicium.
Les deux groupes expliquent dans un communiqué que cette coopération, qui porte sur les 18 prochains mois, doit permettre à STMicroelectronics d'adopter la technologie dite "SmartSiC" dans le carbure de silicium de Soitec.
"Le carbure de silicium est un composé semiconducteur de rupture dont les propriétés intrinsèques assurent des performances et un rendement plus élevés que le silicium dans les applications de puissance clés à forte croissance, telles que l'électromobilité et les processus industriels", indiquent les deux entreprises dans un communiqué.
"Cette technologie permet de convertir l'énergie avec une plus grande efficacité", ajoutent-elles.
Soitec est un leader mondial de la production de matériaux semi-conducteurs innovants. L'entreprise s'appuie sur ses technologies uniques pour servir les marchés de l'électronique et de l'énergie. Avec plus de 4 000 brevets, elle mène une stratégie d'innovations disruptives pour permettre à ses clients de disposer de produits qui combinent performance, efficacité énergétique et compétitivité.
Soitec compte des sites industriels, des centres de R&D et des bureaux commerciaux en Europe, aux Etats-Unis et en Asie.