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STMicroelectronics et Soitec annoncent la prochaine étape de leur coopération sur les substrats en carbure de silicium (SiC)

01/12/2022 | 22:16
STMicroelectronics et Soitec ont annoncé la prochaine étape de leur coopération dans le domaine des substrats en carbure de silicium (SiC). La qualification de la technologie de substrats SiC de Soitec par ST est prévue au cours des 18 prochains mois. L'objectif de cette coopération est l'adoption par ST de la technologie SmartSiC de Soitec pour sa future fabrication de substrats de 200 mm, alimentant son activité de fabrication de dispositifs et de modules, avec une production en volume prévue à moyen terme. Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur composé disruptif dont les propriétés intrinsèques offrent des performances et une efficacité supérieures à celles du silicium dans des applications énergétiques clés à forte croissance pour la mobilité électrique et les processus industriels, entre autres. Il permet une conversion d'énergie plus efficace, des conceptions plus légères et plus compactes
, et des économies globales sur les coûts de conception des systèmes - tous les paramètres et facteurs clés pour le succès des systèmes automobiles et industriels. Le passage des tranches de 150 mm à 200 mm permettra une augmentation substantielle de la capacité, avec près de deux fois la surface utile pour la fabrication de circuits intégrés, ce qui permettra de produire 1,8 à 1,9 fois plus de puces fonctionnelles par tranche. SmartSiC est une technologie brevetée de Soitec qui utilise la technologie SmartCut brevetée de Soitec pour séparer une fine couche d'une plaquette SiC "donneuse" de haute qualité et la coller sur une plaquette polySiC "manipulatrice" de faible résistivité. Le substrat ainsi conçu améliore ensuite les performances des dispositifs et les rendements de fabrication. La tranche "donneuse" de SiC de qualité supérieure peut être réutilisée plusieurs fois, ce qui réduit considérablement la consommation d'énergie globale nécessaire à sa production.
© S&P Capital IQ 2023
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