Avalanche Technology et United Microelectronics Corporation ont annoncé la disponibilité immédiate de nouveaux dispositifs de mémoire SRAM persistante (P-SRAM) à haute fiabilité via la technologie de processus 22nm d'UMC. Basée sur la dernière génération de technologie de mémoire vive magnétorésistive à transfert de spin (STT-MRAM) d'Avalanche Technology, cette plate-forme de produits de troisième génération très attendue propose des avantages significatifs en termes de densité, d'endurance, de fiabilité et de puissance par rapport aux solutions non volatiles existantes. Avalanche Gen 3 Persistent SRAM : La série Parallel x 32 est proposée comme produit standard dans diverses options de densité et possède des timings de lecture/écriture asynchrones compatibles avec la SRAM.

Les données sont toujours non volatiles avec une endurance de >1014 cycles d'écriture et une rétention de 1 000 ans (à 85°C), leaders du secteur. Les deux options de densité sont disponibles dans un boîtier FBGA 142-ball à faible encombrement (15mm x 17mm). Les dispositifs sont proposés dans la plage de température de fonctionnement étendue (-40°C à 125°C) avec un flux de qualification JEDEC, où chaque dispositif subit un burn in de 48 heures avant d'être expédié aux clients.

Des options supplémentaires d'examen de qualification sont disponibles auprès de partenaires.