HPSP renforce ses programmes de recherche et développement (R&D) concernant le recuit à haute pression (HPA) et l'oxydation à haute pression (HPO). Avec l'ouverture prochaine de son nouveau centre de R&D en Corée, HPSP a mis en place de nouveaux programmes et outils avec des capacités avancées pour étendre la technologie HPA et HPO existante au-delà des régimes de processus traditionnels. L'ajout du HPO et du nouveau HPA avec les différents gaz s'appuie sur le recuit à l'hydrogène sous haute pression (HPHA), qui est devenu une étape essentielle, en particulier dans les nœuds avancés.

Le recuit à l'hydrogène sous haute pression (HPHA) est un processus qui permet d'améliorer la fiabilité et les performances des dispositifs semi-conducteurs en éliminant les défauts dans ces dispositifs, et qui s'applique à divers domaines. Étant donné que la réduction de l'échelle de fabrication des semi-conducteurs devient de plus en plus intensive et que le budget thermique devient plus serré, l'utilisation d'un équipement de recuit conventionnel ou d'un équipement de recuit à haute température dans le processus de recuit des semi-conducteurs devient de plus en plus difficile. Par conséquent, la technologie HPSP, qui permet de recuire à une température plus basse avec une pression élevée, est devenue une étape essentielle dans le processus de fabrication des semi-conducteurs, en particulier dans le nœud avancé.

En outre, le HPO et le HPA avec les différents gaz peuvent améliorer la qualité de nombreux films avancés, ce qui pourrait encore améliorer les performances des futurs dispositifs. Afin d'accélérer le développement de nouvelles applications à haute pression, HPSP étend son projet de développement conjoint (JDP) avec imec. La cérémonie de signature du nouveau JDP a eu lieu le 10 janvier au siège d'imec à Louvain, en Belgique, en présence des principaux dirigeants et responsables de HPSP et d'imec.

En tant que première et seule entreprise au monde à développer et à fabriquer des équipements de recuit à l'hydrogène à haute pression pour la fabrication de semi-conducteurs, HPSP mène des recherches conjointes avec imec depuis 2015 afin d'explorer les principaux avantages de l'APH sur divers dispositifs. Le HPA a été appliqué avec succès dans la fabrication de semi-conducteurs des principaux partenaires d'imec et a déjà démontré des améliorations significatives des performances dans divers dispositifs utilisés pour fabriquer des dispositifs FinFET, GAA et de mémoire tels que les DRAM les plus avancés et les 3D NAND. HPSP mènera des recherches avancées sur les effets du HPA et du HPO dans une variété de dispositifs de pointe tels que les dispositifs CFET et les dispositifs de mémoire 3D, et travaillera de manière proactive avec ses clients et imec sur les applications du HPA et du HPO dans le processus de fabrication de semi-conducteurs de la prochaine génération, élargira les opportunités commerciales en participant au développement des processus de la prochaine génération des fabricants de semi-conducteurs, et en même temps renforcera le statut de HPSP en tant que partenaire digne de confiance pour ses clients.

Grâce à la recherche collaborative avec ses clients et l'imec, qui travaille en partenariat avec des fabricants de semi-conducteurs de premier plan, HPSP espère renforcer sa réputation de fournisseur d'équipements de semi-conducteurs de premier plan et réaffirmer ses avantages techniques et sa compétitivité sur le marché mondial. HPSP pense que cela ouvrira la voie aux fabricants de puces pour améliorer les performances et la fiabilité de leurs dispositifs à semi-conducteurs et mettre sur le marché des produits de pointe.