Everspin Technologies, Inc. nomme Sanjeev Aggarwal au poste de président et au conseil d'administration.
Le 02 mars 2022 à 22:00
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Everspin Technologies, Inc. a annoncé la nomination de Sanjeev Aggarwal au poste de président d’Everspin, à compter du 14 mars 2022. À compter de cette date, Darin Billerbeck, président exécutif du conseil d’administration et PDG par intérim d’Everspin, démissionnera de son poste de PDG par intérim et continuera d’assumer les fonctions de président exécutif du conseil d’administration. M. Aggarwal est également élu membre du conseil d'administration d'Everspin à compter du 14 mars 2022. M. Aggarwal apporte plus de 25 ans d'expertise dans l'industrie des mémoires non volatiles et des semi-conducteurs. Il a contribué de manière significative à façonner Everspin depuis sa création en 2008 en occupant divers postes de direction. M. Aggarwal occupe actuellement le poste de directeur technique d'Everspin et de vice-président des opérations et de la R&D technologique. Il gère les opérations de fabrication et la chaîne d'approvisionnement, dirige le développement technologique et les accords commerciaux avec les partenaires, les vendeurs et les fournisseurs. Avant cela, il était vice-président d'Everspin chargé de la fabrication et du développement des processus.
Everspin Technologies, Inc. fournit des solutions de mémoire vive magnéto-résistive (MRAM). Les solutions MRAM de la société offrent une mémoire non volatile avec la vitesse et l'endurance de la mémoire vive (RAM) et permettent de protéger les données critiques, en particulier en cas de coupure de courant ou de panne. Son portefeuille de technologies MRAM comprend la Toggle MRAM et la Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Les produits Toggle MRAM sont dotés d'interfaces standard, notamment des interfaces parallèles, SPI (Serial Peripheral Interface) et QSPI (Quad SPI). Sa technologie STT-MRAM fournit des produits pour les applications de mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM), SRAM et NOR Flash. Elle propose ses produits avec des interfaces dérivées DDR3 et DDR4, ce qui facilite le remplacement de la DRAM sur batterie par la STT-MRAM. Ses capteurs 3D à magnétorésistance à effet tunnel (TMR) offrent une grande sensibilité magnétique dans un composant unique qui effectue des mesures de champ magnétique en 3D dans une solution monolithique.
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