Everspin Technologies lance Persyst, qui simplifie les solutions de mémoire persistante
Le 09 avril 2024 à 07:02
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Everspin Technologies, Inc. a annoncé le nouveau nom de marque PERSYST pour sa famille de produits de mémoire persistante. L'initiative d'Everspin visant à simplifier l'identification des produits au-delà des identifiants alphanumériques conventionnels promet de faciliter la sélection des bonnes solutions pour les clients. Les produits MRAM parallèles et sériels à bascule de la société, les ST-DDR4 de 1 Gb et la nouvelle STT-MRAM industrielle EMxxLX xSPI seront regroupés sous la marque PERSYST.
La famille de produits PERSYST représente la combinaison unique d'une vitesse et d'une latence semblables à celles de la RAM avec la non-volatilité. Avec une endurance pratiquement illimitée, PERSYST offre la vitesse et la persistance nécessaires pour capturer des données critiques en continu. Il est parfait pour une utilisation dans une variété d'industries, telles que l'automatisation, la robotique, la mise en réseau, le stockage de données, l'IA, les soins de santé, les jeux et les FPGA.
Everspin est présent au salon Embedded World 2024 à Nuremberg, en Allemagne, avec une nouvelle expérience de stand qui propose des démonstrations statiques des produits EMxxLX PERSYST. Il s'agit notamment d'une démonstration basée sur STM32 et d'une analyse comparative d'EMxxLX par rapport à la flash NOR. Everspin collaborera également avec Synaptic Labs pour présenter l'intégration d'EMxxLX avec le contrôleur xSPI sur une carte d'évaluation FPGA.
Everspin Technologies, Inc. fournit des solutions de mémoire vive magnéto-résistive (MRAM). Les solutions MRAM de la société offrent une mémoire non volatile avec la vitesse et l'endurance de la mémoire vive (RAM) et permettent de protéger les données critiques, en particulier en cas de coupure de courant ou de panne. Son portefeuille de technologies MRAM comprend la Toggle MRAM et la Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Les produits Toggle MRAM sont dotés d'interfaces standard, notamment des interfaces parallèles, SPI (Serial Peripheral Interface) et QSPI (Quad SPI). Sa technologie STT-MRAM fournit des produits pour les applications de mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM), SRAM et NOR Flash. Elle propose ses produits avec des interfaces dérivées DDR3 et DDR4, ce qui facilite le remplacement de la DRAM sur batterie par la STT-MRAM. Ses capteurs 3D à magnétorésistance à effet tunnel (TMR) offrent une grande sensibilité magnétique dans un composant unique qui effectue des mesures de champ magnétique en 3D dans une solution monolithique.