Les modules FlashCore IBM de nouvelle génération intègrent la mémoire STT-MRAM PERSYST 1 gigabit d'Everspin Technologies, Inc. pour une fiabilité accrue
Le 30 avril 2024 à 14:00
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Everspin Technologies, Inc. annonce qu'IBM a choisi la mémoire PERSYST EMD4E001G 1Gb STT-MRAM pour son module FlashCore 4. La mémoire persistante haute performance EMD4E001G garantit l'intégrité des données critiques, même en cas de coupure de courant. Avec une interface DDR4, elle offre une bande passante de 2,7 gigaoctets/seconde en lecture et en écriture, associée à une non-volatilité instantanée. La technologie PERSYST d'Everspin établit la norme en matière de performance des mémoires persistantes.
Everspin Technologies, Inc. fournit des solutions de mémoire vive magnéto-résistive (MRAM). Les solutions MRAM de la société offrent une mémoire non volatile avec la vitesse et l'endurance de la mémoire vive (RAM) et permettent de protéger les données critiques, en particulier en cas de coupure de courant ou de panne. Son portefeuille de technologies MRAM comprend la Toggle MRAM et la Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Les produits Toggle MRAM sont dotés d'interfaces standard, notamment des interfaces parallèles, SPI (Serial Peripheral Interface) et QSPI (Quad SPI). Sa technologie STT-MRAM fournit des produits pour les applications de mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM), SRAM et NOR Flash. Elle propose ses produits avec des interfaces dérivées DDR3 et DDR4, ce qui facilite le remplacement de la DRAM sur batterie par la STT-MRAM. Ses capteurs 3D à magnétorésistance à effet tunnel (TMR) offrent une grande sensibilité magnétique dans un composant unique qui effectue des mesures de champ magnétique en 3D dans une solution monolithique.
Les modules FlashCore IBM de nouvelle génération intègrent la mémoire STT-MRAM PERSYST 1 gigabit d'Everspin Technologies, Inc. pour une fiabilité accrue