SK Hynix Inc. a annoncé qu'elle avait commencé la production en volume de HBM3E, la toute dernière mémoire AI aux performances ultra-élevées, qui sera livrée à un client à partir de la fin du mois de mars. L'entreprise a rendu public son succès dans le développement de la mémoire HBM3E il y a seulement sept mois. HBM (High Bandwidth Memory) : Une mémoire de grande valeur et de haute performance qui interconnecte verticalement plusieurs puces DRAM et augmente considérablement la vitesse de traitement des données par rapport aux produits DRAM conventionnels.

HBM3E, la version étendue de HBM3, est la cinquième génération de HBM après HBM, HBM2, HBM2E et HBM3. SK hynix est le premier fournisseur de HBM3E, un produit avec les puces DRAM les plus performantes, qui vient s'ajouter à son succès antérieur avec HBM3. L'entreprise s'attend à ce que la production en volume réussie de HBM3E, ainsi que son expérience en tant que premier fournisseur de HBM3, l'aide à consolider sa position de leader dans l'espace mémoire de l'IA.

Afin de construire un système d'intelligence artificielle performant qui traite rapidement une énorme quantité de données, un boîtier de semi-conducteur doit être composé de manière à ce que de nombreux processeurs et mémoires d'intelligence artificielle soient multi-connectés. Les grandes entreprises technologiques mondiales exigent de plus en plus des semi-conducteurs d'IA plus performants et SK Hynix espère que son HBM3E sera leur choix optimal pour répondre à ces attentes croissantes. Le dernier produit est le meilleur de l'industrie dans tous les aspects requis pour une mémoire IA, y compris la vitesse et le contrôle de la chaleur.

Elle traite jusqu'à 1,18 To de données par seconde, ce qui équivaut au traitement de plus de 230 films Full-HD (5 Go chacun) en une seconde. Les mémoires d'IA fonctionnant à une vitesse extrêmement élevée, le contrôle de la chaleur est une autre qualification clé requise pour les mémoires d'IA. La mémoire HBM3E de SK Hynix présente également une amélioration de 10 % des performances de dissipation de la chaleur par rapport à la génération précédente, grâce à l'application du processus MR-MUF avancé.

MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) : Processus consistant à empiler des puces semi-conductrices, à injecter des matériaux de protection liquides entre elles pour protéger le circuit entre les puces, et à les durcir. Ce processus s'est avéré plus efficace pour la dissipation de la chaleur que la méthode consistant à poser des matériaux de type film pour chaque pile de puces. La technologie MR-MUF avancée de SK Hynix est essentielle pour garantir une production de masse stable du côté de l'approvisionnement de l'écosystème HBM, car la pression sur les puces empilées peut être réduite, tandis que le contrôle de la déformation est également amélioré grâce à l'adoption de ce processus.