Magnachip Semiconductor Corporation annonce que la société a commencé la production en masse de deux nouveaux transistors à effet de champ à métal-oxyde-semiconducteur (SJ MOSFET) à super jonction de 650V. Ces deux MOSFETs SJ 650V (MMUB65R090RURH, MMUB65R115RURH) utilisent un boîtier PDFN88 innovant, qui réduit considérablement leur épaisseur et leur taille. L'épaisseur a été réduite d'environ 81% par rapport aux produits D2PAK et de 63% par rapport aux produits DPAK, tandis que l'empreinte globale a été réduite à environ 41% des MOSFET SJ D2PAK.

Ces nouveaux MOSFETs SJ -- améliorés par le boîtier PDFN88 -- offrent une excellente flexibilité de conception, une dissipation thermique efficace et de faibles caractéristiques RDS(on) (la valeur de la résistance entre le drain et la source des MOSFETs pendant le fonctionnement à l'état passant). Par conséquent, ils sont bien adaptés à diverses applications qui nécessitent une taille compacte et un rendement élevé, telles que les téléviseurs OLED, les serveurs, les produits d'éclairage, les chargeurs d'ordinateurs portables et les adaptateurs. Nouveaux MOSFETs SJ 650V dans un boîtier PDFN88 : Produit : MMUB65R090RURH, VDS [V] : 650V, RDS(on) : 90mO ; Boîtier : PDFN88 ; Application : TV OLED, serveurs, produits d'éclairage, chargeurs d'ordinateurs portables, adaptateurs.

Produit : MMUB65R115RURH ; VDS [V] : 650V ; RDS(on) : 115mO ; Emballage : PDFN88 ; Application : TV OLED, serveurs, produits d'éclairage, chargeurs d'ordinateurs portables, adaptateurs.