STMicroelectronics a annoncé lundi avoir étendu son accord de fourniture de plaquettes de carbure de silicium (SiC) avec SiCrystal, une filiale du groupe industriel allemand Rohm.

Le nouvel accord pluriannuel concerne la fourniture de volumes plus importants de substrats SiC en 150 mm, que SiCrystal fabrique à Nuremberg, dans le cadre d'un contrat évalué à au moins 230 millions de dollars.

Dans un communiqué, STMicroelectronics explique que ce partenariat va lui permettre de bénéficier de volumes supplémentaires afin de soutenir l'augmentation de ses capacités de production dans l'automobile et l'industrie.

Les semi-conducteurs de puissance SiC à haut rendement énergétique permettent l'électrification des secteurs de l'automobile et de l'industriel via des procédés plus efficaces et plus durables.

Ils permettent aussi d'alimenter des infrastructures gourmandes en ressources telles que les centres de données dédiés aux applications d'intelligence artificielle.

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