Worksport Ltd. a annoncé sa décision stratégique d'intégrer des semi-conducteurs à base de nitrure de gallium (?GaN ?) dans ses prochaines offres de produits. En choisissant les semi-conducteurs GAN plutôt que les puces à base de silicium qui alimentent même le leader des puces d'intelligence artificielle, NVIDIA Corporation ("NVIDIA"), Worksport s'est lancé dans un voyage innovant pour faire progresser sa technologie vers de nouveaux sommets grâce à divers partenariats, dont un récemment annoncé avec Infineon Technologies AG, l'un des principaux producteurs de semi-conducteurs GaN. Le silicone a été le matériau dominant pour la fabrication des semi-conducteurs pendant des décennies en raison de sa grande disponibilité et de sa facilité de traitement.

NVIDIA a construit sa domination sur les semi-conducteurs à base de silicium dans ses GPU. La contribution de NVIDIA à l'industrie des semi-conducteurs et de l'informatique est indéniable, mais le monde approche de la limite théorique de l'amélioration de la technologie à base de silicone. Conscient de cela, Worksport a pour objectif de repousser les limites de l'innovation en matière de semi-conducteurs en intégrant le GaN dans les futures versions de ses systèmes COR Mobile Battery Generator Systems. Cette décision est motivée par le potentiel du GaN à fournir des performances supérieures, une efficacité accrue et une taille et un poids réduits par rapport aux solutions conventionnelles.

Par rapport au silicium, les commutateurs de puissance basés sur le GaN présentent des capacités globales plus faibles, surtout si l'on considère qu'ils n'ont pas de diode de corps antiparallèle. Les commutateurs GaN permettent donc des vitesses de commutation plus rapides et des pertes de puissance réduites. Le GaN est également capable de résister à des températures plus élevées que le silicium.

Worksport estime que l'utilisation de semi-conducteurs GaN permettra de relever la barre en matière d'efficacité, de gestion thermique et de performances. En outre, les semi-conducteurs GaN sont des dispositifs à large bande interdite, ce qui leur permet de supporter des tensions beaucoup plus élevées que les dispositifs à base de silicium, tout en ayant des boîtiers plus petits. Cette caractéristique peut se traduire par des convertisseurs de puissance ayant une densité de puissance beaucoup plus élevée que celle que l'on trouve généralement dans les commutateurs à base de silicium.

En tirant parti de la technologie GaN, Worksport estime que ses futurs produits pourront offrir des performances inégalées tout en consommant moins d'énergie, ce qui se traduira par une plus longue durée de vie des batteries grâce à des convertisseurs de puissance plus efficaces. En outre, grâce à l'efficacité accrue des semi-conducteurs GaN, les convertisseurs de puissance basés sur cette technologie dégagent moins de chaleur et ont moins besoin d'être refroidis et de ventilateurs, ce qui permet à la société de penser qu'elle pourrait rendre son électronique de puissance plus compacte.

En outre, Worksport pense qu'en utilisant des semi-conducteurs GaN, elle sera en mesure de créer des dispositifs plus fiables et plus durables tout en réduisant le risque de surchauffe et de dégradation des performances.