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STMicroelectronics et Soitec vont collaborer dans les substrats en carbure de silicium

01/12/2022 | 08:32

PARIS (Agefi-Dow Jones)--Le fabricant de semi-conducteurs franco-italien STMicroelectronics (ST) et le spécialiste des matériaux semi-conducteurs innovants Soitec ont annoncé jeudi leur coopération dans la technologie de fabrication de substrats en carbure de silicium (SiC), qui "permet d'accompagner la transition vers l'électromobilité, ainsi que d'améliorer l'efficacité énergétique des systèmes industriels".

"L'objectif de cette coopération, qui porte sur les 18 prochains mois, est l'adoption par ST de la technologie SmartSiC de Soitec pour sa fabrication future de substrats en 200 mm destinés à la production de produits et de modules, avec une production en volume prévue à moyen terme", ont indiqué les deux groupes dans un communiqué commun.

"La transition vers des plaquettes SiC en 200 mm apportera des avantages substantiels à nos clients des secteurs de l'automobile et de l'industriel qui accélèrent la transition vers l'électrification de leurs systèmes et de leurs produits. Il est important de réaliser des économies d'échelle à mesure qu'augmentent les volumes de produits", a indiqué Marco Monti, président du groupe produits automobiles et discrets de STMicroelectronics, cité dans le communiqué.

-Pierre-Jean Lepagnot, Agefi-Dow Jones +33 (0)1 41 27 47 95; pjlepagnot@agefi.fr ed: VLV

Agefi-Dow Jones The financial newswire

(END) Dow Jones Newswires

December 01, 2022 02:31 ET (07:31 GMT)

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