Transphorm, Inc. annonce la disponibilité de deux nouveaux composants SuperGaN® ? en boîtier TO-247 à 4 pattes (TO-247-4L). Les nouveaux FET TP65H035G4YS et TP65H050G4YS offrent respectivement une résistance de 35 mOhm et 50 mOhm, avec une borne de source kelvin qui offre aux clients des capacités de commutation polyvalentes avec des pertes d'énergie encore plus faibles.

Les nouveaux produits fonctionneront sur le procédé de fabrication de substrats GaN sur silicium bien établi de Transphorm, qui est rentable, fiable et bien adapté à la fabrication en grand volume sur les lignes de production en silicium. Le TP65H050G4ys FET de 50 mOhm est actuellement disponible tandis que le TP65H035G4ys FET de 35 mOhm est en cours d'échantillonnage et sa sortie est prévue pour le premier trimestre 2024. Les dispositifs SuperGaN à 4 pattes de Transphorm peuvent servir d'option de conception originale ou de remplacement des solutions silicium et SiC à 4 pattes qui supportent les alimentations de 1 kilowatt et plus dans une large gamme de centres de données, d'énergies renouvelables et d'applications industrielles générales.

Comme indiqué, la configuration à 4 pattes offre une certaine souplesse aux utilisateurs pour améliorer encore les performances de commutation. Dans un convertisseur boost synchrone à commutation dure, le FET SuperGaN à 4 pattes de 35 mOhm a réduit les pertes de 15 % à 50 kilohertz (kHz) et de 27 % à 100 kHz par rapport à un dispositif MOSFET SiC ayant une résistance à l'enclenchement comparable. Les FET SuperGaN de Transphorm sont connus pour offrir des avantages différenciateurs tels que : Une robustesse inégalée dans l'industrie avec un seuil de grille de +/- 20 V et une immunité au bruit de 4 V.

Une conception plus facile en réduisant la quantité de circuits nécessaires autour du dispositif. Une plus grande facilité de pilotage car les FET peuvent être associés à des pilotes bien connus, prêts à l'emploi et communs aux dispositifs en silicium. Les dispositifs TO-247-4L offrent la même robustesse, la même facilité de conception et de pilotage avec les spécifications de base suivantes : Numéro de pièce : Vds (V) min ; Rds(on) (mO) typ ; Vth (V) typ ; ID (25degC) (A) max ; Variation du boîtier.TP65H035G4YS : TP65H035G4Y : 650 mOhm.

650 mOhm.