Transphorm, Inc. a présenté le SuperGaN® ? TOLT FET. Avec une résistance à l'enclenchement de 72 milliohms, le transistor TP65H070G4RS est le premier composant GaN à montage en surface refroidi par le haut dans le boîtier TOLT au standard JEDEC (MO-332).

Le boîtier TOLT offre une flexibilité de gestion thermique aux clients pour lesquels les exigences du système ne permettent pas d'utiliser les dispositifs de montage en surface plus conventionnels avec refroidissement par le bas. Les performances thermiques du boîtier TOLT sont similaires à celles des boîtiers TO-247 à trous traversants, largement utilisés et thermiquement robustes, et offrent l'avantage supplémentaire de processus de fabrication très efficaces grâce à l'assemblage de cartes de circuits imprimés (PCBA) basé sur la technologie SMD. Le TP65H070G4 RS s'appuie sur la plateforme GaN robuste et performante de Transphorm à 650 volts en mode d normalement éteint, qui offre une efficacité améliorée par rapport au silicium, au carbure de silicium et à d'autres produits GaN grâce à une charge de grille, une capacité de sortie, une perte de croisement, une charge de récupération inversée et une résistance dynamique plus faibles.

Les avantages de la plateforme SuperGaN, combinés aux meilleures propriétés thermiques du TOLT et à la souplesse d'assemblage du système, se traduisent par une solution GaN de haute performance et de haute fiabilité pour les clients qui cherchent à mettre sur le marché des systèmes d'alimentation avec une densité de puissance et un rendement plus élevés, à un coût global inférieur. Transphorm est engagé avec de nombreux partenaires mondiaux pour la haute puissance GaN, y compris des clients principaux dans l'alimentation des serveurs et du stockage, un leader mondial dans l'espace énergie/micro-onduleur, un fabricant innovant de solutions d'alimentation hors-réseau, et un leader dans les communications par satellite. Le lancement de ce produit fait suite à l'introduction récente par Transphorm de ses trois nouveaux FET TOLL.

L'ajout du TOLT élargit une fois de plus l'offre de produits de la société. Sa disponibilité souligne l'engagement de Transphorm à répondre aux préférences de ses clients en rendant sa plateforme SuperGaN accessible dans différents boîtiers sur la plus large gamme de puissance. Spécifications des dispositifs Les dispositifs SuperGaN sont à la pointe du marché avec une fiabilité inégalée : Fiabilité à < 0,05 FIT ; marge de sécurité de grille à +- 20 V ; immunité au bruit à 4 V ; coefficient de résistance à la température (TCR) à 20 % inférieur à celui du GaN en mode e normalement éteint ; flexibilité de commande avec des pilotes en silicium standard prêts à l'emploi.

Le robuste dispositif SuperGaN TOLT 650 V est qualifié JEDEC. Comme la plate-forme en mode d normalement désactivé associe l'HEMT GaN à un MOSFET silicium basse tension intégré, les FET SuperGaN sont faciles à piloter à l'aide de pilotes de grille couramment utilisés dans le commerce. Ils peuvent être utilisés dans diverses topologies AC-to-DC, DC-to-DC et DC-to-AC à commutation dure ou douce pour augmenter la densité de puissance tout en réduisant la taille, le poids et le coût global du système.

Dimensions de la pièce (mm) RDS(on) (mO) typ RDS(on) (mO) max Vth (V) typ Id (25degC) (A) maxTP65H070G4RS 10 x 15 85 4 29 29. Disponibilité et ressources de soutien : Les dispositifs TP65H070G 4RS SuperGaN TOLT sont actuellement disponibles pour échantillonnage. Le dispositif TP65H070G 4RS SuperGaN TOLT est actuellement disponible à l'échantillonnage.

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