Transphorm, Inc. annonce ses résultats pour le deuxième trimestre et le semestre clos le 30 septembre 2023
Le 09 novembre 2023 à 22:10
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Transphorm, Inc. a publié ses résultats pour le deuxième trimestre et le semestre clos le 30 septembre 2023. Pour le deuxième trimestre, la société a déclaré un chiffre d'affaires de 5,01 millions USD, contre 3,67 millions USD il y a un an. La perte nette s'est élevée à 7,13 millions d'USD, contre 6 millions d'USD l'année précédente. La perte de base par action des activités poursuivies était de 0,12 USD, contre 0,1 USD il y a un an. La perte diluée par action des activités poursuivies a été de 0,12 USD, contre 0,1 USD il y a un an. Pour le semestre, le chiffre d'affaires s'est élevé à 10,89 millions d'USD, contre 8,83 millions d'USD il y a un an. La perte nette s'est élevée à 14,58 millions d'USD, contre 11,35 millions d'USD il y a un an. La perte de base par action des activités poursuivies est de 0,33 USD, contre 0,2 USD il y a un an. La perte diluée par action des activités poursuivies s'est élevée à 0,33 USD, contre 0,2 USD l'année précédente.
Transphorm Technology, Inc. est une entreprise mondiale de semi-conducteurs. La société développe des produits à base de nitrure de gallium (GaN) pour des applications de conversion d'énergie à haute tension. La plateforme Gen IV de la société offre des avantages tant au niveau de l'assemblage que des applications, ce qui est le catalyseur de la marque SuperGaN. La technologie GaN de la société profite à différents marchés. Les taux d'adoption les plus élevés sont prévus pour les différents domaines d'application, notamment les alimentations électriques dans les infrastructures et les technologies de l'information (TI) ; les adaptateurs, les alimentations électriques pour les jeux dans les secteurs de la consommation et de l'informatique ; les chargeurs de batterie, les alimentations sans interruption (ASI) dans l'industrie au sens large ; les véhicules électriques, la charge dans l'automobile ; et les adaptateurs mobiles, le matériel de radiofréquence (RF) dans la cinquième génération (5G). Ses solutions GaN prennent en charge toute une gamme de niveaux de puissance pour l'ensemble des applications. Son portefeuille de dispositifs comprend des FET de 650 V et 900 V, et des FET de 1200 V sont en cours de développement.