IntelliEPI Inc. (Caïman) annonce ses résultats financiers pour le deuxième trimestre clos le 30 juin 2021
Le 25 août 2021
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IntelliEPI Inc. (Cayman) a annoncé ses résultats pour le deuxième trimestre clos le 30 juin 2021. Pour le deuxième trimestre, la société a annoncé que le chiffre d'affaires s'élevait à 189,398 millions de TWD, contre 161,082 millions de TWD un an plus tôt. Le bénéfice d'exploitation s'est élevé à 23,307 millions de TWD, contre une perte d'exploitation de 9,264 millions de TWD l'année précédente. Le bénéfice net s'est élevé à 25,353 millions de TWD, contre une perte nette de 7,969 millions de TWD l'année précédente. Le bénéfice de base par action s'élève à 0,71 TWD, contre une perte de base par action de 0,22 TWD l'année précédente. Le bénéfice dilué par action était de 0,71 TWD. Pour le semestre, le chiffre d'affaires s'est élevé à 341,380 millions de TWD, contre 311,570 millions de TWD l'année précédente. Le résultat d'exploitation s'élève à 25,620 millions de TWD, contre une perte d'exploitation de 8,131 millions de TWD l'année précédente. Le bénéfice net s'élève à 27,265 millions de TWD, contre une perte nette de 5,708 millions de TWD l'année précédente. Le bénéfice de base par action s'élève à 0,76 TWD, contre une perte de base par action de 0,16 TWD l'année précédente. Le bénéfice dilué par action était de 0,76 TWD.
IntelliEPI Inc. (Cayman) est une société holding d'Intelligent Epitaxy Technology, Inc. basée aux îles Cayman. La société fournit aux secteurs de l'électronique et de l'optoélectronique des EPI-wafers de semi-conducteurs composés basés sur l'épitaxie. Elle fournit à ses clients une variété de structures EPI pour l'électronique et l'optoélectronique cultivées sur l'arséniure de gallium (GaAs) et le phosphure d'indium (InP). Ses produits à base de GaAs comprennent les PHEMT (AlAs, InGaP Etch Stop) et les MHEMT. Ses produits à base d'InP comprennent les HBT (dopés C, dopés Be, GaAsSb), les HEMT, les RTT et les RTD. Ses produits à base de Sb comprennent des photodétecteurs SLS de type II, des HBT InP à base de GaAsSb et des substrats GaSb prêts pour l'EPI. Ses produits optoélectroniques comprennent des photodiodes à avalanche (APD), des lasers (750 nm à 1100 nm), des VCSEL, des PIN (GaAs, InP), des QWIP, des modulateurs et des lasers à cascade quantique. Elle utilise sa technologie de surveillance de la croissance in situ et en temps réel sur les systèmes d'épitaxie par faisceaux moléculaires (MBE) pour la fabrication de wafers EPI sur des substrats GaAs et InP.