IntelliEPI Inc. (Cayman) annonce ses résultats pour le deuxième trimestre et le semestre clos le 30 juin 2023
Le 24 août 2023 à 01:35
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IntelliEPI Inc. (Cayman) a publié ses résultats pour le deuxième trimestre et le semestre clos le 30 juin 2023. Pour le deuxième trimestre, la société a déclaré un chiffre d'affaires de 137,87 millions TWD, contre 250,89 millions TWD un an plus tôt. La perte nette s'est élevée à 20,15 millions TWD, contre un bénéfice net de 60,03 millions TWD un an plus tôt. La perte de base par action des activités poursuivies s'élève à 0,55 TWD, contre un bénéfice de base par action des activités poursuivies de 1,65 TWD un an plus tôt. La perte diluée par action des activités poursuivies est de 0,55 TWD, contre un bénéfice dilué par action des activités poursuivies de 1,65 TWD il y a un an. La perte de base par action est de 0,55 TWD, contre un bénéfice de base par action de 1,65 TWD il y a un an. La perte diluée par action est de 0,55 TWD, contre un bénéfice dilué par action de 1,65 TWD un an plus tôt. Pour le semestre, le chiffre d'affaires s'est élevé à 285,77 millions TWD, contre 470,84 millions TWD un an plus tôt. La perte nette s'est élevée à 19,81 millions TWD, contre un bénéfice net de 102,12 millions TWD un an plus tôt. La perte de base par action des activités poursuivies est de 0,54 TWD, contre un bénéfice de base par action des activités poursuivies de 2,81 TWD un an plus tôt. La perte diluée par action des activités poursuivies est de 0,54 TWD, contre un bénéfice dilué par action des activités poursuivies de 2,8 TWD il y a un an. La perte de base par action est de 0,54 TWD, contre un bénéfice de base par action de 2,81 TWD il y a un an. La perte diluée par action est de 0,54 TWD, contre un bénéfice dilué par action de 2,8 TWD il y a un an.
IntelliEPI Inc. (Cayman) est une société holding d'Intelligent Epitaxy Technology, Inc. basée aux îles Cayman. La société fournit aux secteurs de l'électronique et de l'optoélectronique des EPI-wafers de semi-conducteurs composés basés sur l'épitaxie. Elle fournit à ses clients une variété de structures EPI pour l'électronique et l'optoélectronique cultivées sur l'arséniure de gallium (GaAs) et le phosphure d'indium (InP). Ses produits à base de GaAs comprennent les PHEMT (AlAs, InGaP Etch Stop) et les MHEMT. Ses produits à base d'InP comprennent les HBT (dopés C, dopés Be, GaAsSb), les HEMT, les RTT et les RTD. Ses produits à base de Sb comprennent des photodétecteurs SLS de type II, des HBT InP à base de GaAsSb et des substrats GaSb prêts pour l'EPI. Ses produits optoélectroniques comprennent des photodiodes à avalanche (APD), des lasers (750 nm à 1100 nm), des VCSEL, des PIN (GaAs, InP), des QWIP, des modulateurs et des lasers à cascade quantique. Elle utilise sa technologie de surveillance de la croissance in situ et en temps réel sur les systèmes d'épitaxie par faisceaux moléculaires (MBE) pour la fabrication de wafers EPI sur des substrats GaAs et InP.