IntelliEPI Inc. (Cayman) annonce ses résultats pour le troisième trimestre et les neuf mois terminés le 30 septembre 2023
Le 08 novembre 2023
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IntelliEPI Inc. (Cayman) a publié ses résultats pour le troisième trimestre et les neuf mois clos le 30 septembre 2023. Pour le troisième trimestre, la société a déclaré un chiffre d'affaires de 203,81 millions TWD, contre 211 millions TWD un an plus tôt. Le bénéfice net s'est élevé à 44,57 millions TWD, contre 22,36 millions TWD un an plus tôt. Le bénéfice de base par action des activités poursuivies s'élève à 1,22 TWD, contre 0,62 TWD un an plus tôt. Le résultat dilué par action des activités poursuivies s'élève à 1,22 TWD, contre 0,61 TWD un an plus tôt. Le résultat de base par action est de 1,22 TWD, contre 0,62 TWD un an plus tôt. Le résultat dilué par action est de 1,22 TWD, contre 0,61 TWD un an plus tôt. Sur les neuf premiers mois de l'année, le chiffre d'affaires s'élève à 489,58 millions TWD, contre 681,84 millions TWD un an plus tôt. Le résultat net s'élève à 24,76 millions TWD, contre 124,48 millions TWD un an plus tôt. Le résultat de base par action des activités poursuivies est de 0,68 TWD, contre 3,43 TWD un an plus tôt. Le résultat dilué par action des activités poursuivies s'élève à 0,68 TWD, contre 3,4 TWD un an plus tôt. Le résultat de base par action est de 0,68 TWD, contre 3,43 TWD un an plus tôt. Le résultat dilué par action est de 0,68 TWD, contre 3,4 TWD un an plus tôt.
IntelliEPI Inc. (Cayman) est une société holding d'Intelligent Epitaxy Technology, Inc. basée aux îles Cayman. La société fournit aux secteurs de l'électronique et de l'optoélectronique des EPI-wafers de semi-conducteurs composés basés sur l'épitaxie. Elle fournit à ses clients une variété de structures EPI pour l'électronique et l'optoélectronique cultivées sur l'arséniure de gallium (GaAs) et le phosphure d'indium (InP). Ses produits à base de GaAs comprennent les PHEMT (AlAs, InGaP Etch Stop) et les MHEMT. Ses produits à base d'InP comprennent les HBT (dopés C, dopés Be, GaAsSb), les HEMT, les RTT et les RTD. Ses produits à base de Sb comprennent des photodétecteurs SLS de type II, des HBT InP à base de GaAsSb et des substrats GaSb prêts pour l'EPI. Ses produits optoélectroniques comprennent des photodiodes à avalanche (APD), des lasers (750 nm à 1100 nm), des VCSEL, des PIN (GaAs, InP), des QWIP, des modulateurs et des lasers à cascade quantique. Elle utilise sa technologie de surveillance de la croissance in situ et en temps réel sur les systèmes d'épitaxie par faisceaux moléculaires (MBE) pour la fabrication de wafers EPI sur des substrats GaAs et InP.