IntelliEPI Inc. (Cayman) annonce ses résultats pour le deuxième trimestre et le semestre clos le 30 juin 2022
Le 25 août 2022 à 01:57
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IntelliEPI Inc. (Cayman) a publié ses résultats pour le deuxième trimestre et le semestre clos le 30 juin 2022. Pour le deuxième trimestre, la société a déclaré un chiffre d'affaires de 250,89 millions de TWD, contre 189,4 millions de TWD un an plus tôt. Le bénéfice net s'est élevé à 60,03 millions de TWD, contre 25,35 millions de TWD un an plus tôt. Le bénéfice de base par action des activités poursuivies s'est élevé à 1,65 TWD, contre 0,71 TWD l'année précédente. Le bénéfice dilué par action des activités poursuivies s'élève à 1,65 TWD, contre 0,71 TWD l'année précédente. Le bénéfice de base par action s'élève à 1,65 TWD, contre 0,71 TWD l'année précédente. Le bénéfice dilué par action s'est élevé à 1,65 TWD, contre 0,71 TWD l'année précédente. Pour le semestre, le chiffre d'affaires s'est élevé à 470,84 millions de TWD, contre 341,38 millions de TWD l'année précédente. Le bénéfice net s'est élevé à 102,12 millions de TWD, contre 27,27 millions de TWD l'année précédente. Le bénéfice de base par action des activités poursuivies s'est élevé à 2,81 TWD, contre 0,76 TWD l'année précédente. Le bénéfice dilué par action des activités poursuivies s'élève à 2,8 TWD, contre 0,76 TWD l'année précédente. Le bénéfice de base par action s'élève à 2,81 TWD, contre 0,76 TWD l'année précédente. Le bénéfice dilué par action s'est élevé à 2,8 TWD, contre 0,76 TWD l'année précédente.
IntelliEPI Inc. (Cayman) est une société holding d'Intelligent Epitaxy Technology, Inc. basée aux îles Cayman. La société fournit aux secteurs de l'électronique et de l'optoélectronique des EPI-wafers de semi-conducteurs composés basés sur l'épitaxie. Elle fournit à ses clients une variété de structures EPI pour l'électronique et l'optoélectronique cultivées sur l'arséniure de gallium (GaAs) et le phosphure d'indium (InP). Ses produits à base de GaAs comprennent les PHEMT (AlAs, InGaP Etch Stop) et les MHEMT. Ses produits à base d'InP comprennent les HBT (dopés C, dopés Be, GaAsSb), les HEMT, les RTT et les RTD. Ses produits à base de Sb comprennent des photodétecteurs SLS de type II, des HBT InP à base de GaAsSb et des substrats GaSb prêts pour l'EPI. Ses produits optoélectroniques comprennent des photodiodes à avalanche (APD), des lasers (750 nm à 1100 nm), des VCSEL, des PIN (GaAs, InP), des QWIP, des modulateurs et des lasers à cascade quantique. Elle utilise sa technologie de surveillance de la croissance in situ et en temps réel sur les systèmes d'épitaxie par faisceaux moléculaires (MBE) pour la fabrication de wafers EPI sur des substrats GaAs et InP.