IntelliEPI Inc. (Caïman) annonce les résultats de ses bénéfices pour le troisième trimestre et les neuf mois terminés le 30 septembre 2021
Le 10 novembre 2021
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IntelliEPI Inc. (Cayman) a publié ses résultats pour le troisième trimestre et les neuf mois clos le 30 septembre 2021. Pour le troisième trimestre, la société a déclaré un chiffre d'affaires de 186,19 millions de TWD, contre 174,39 millions de TWD un an plus tôt. Le bénéfice net s'est élevé à 34,01 millions de TWD, contre 21,87 millions de TWD un an plus tôt. Le bénéfice de base par action des activités poursuivies s'est élevé à 0,95 TWD, contre 0,61 TWD l'année précédente. Le bénéfice dilué par action des activités poursuivies s'est élevé à 0,95 TWD, contre 0,61 TWD l'année précédente. Pour les neuf mois, le chiffre d'affaires s'est élevé à 527,57 millions de TWD, contre 485,96 millions de TWD l'année précédente. Le bénéfice net s'est élevé à 61,28 millions de TWD, contre 16,16 millions de TWD l'année précédente. Le bénéfice de base par action des activités poursuivies s'est élevé à 1,72 TWD, contre 0,45 TWD l'année précédente. Le bénéfice dilué par action des activités poursuivies s'élève à 1,71 TWD, contre 0,45 TWD l'année précédente.
IntelliEPI Inc. (Cayman) est une société holding d'Intelligent Epitaxy Technology, Inc. basée aux îles Cayman. La société fournit aux secteurs de l'électronique et de l'optoélectronique des EPI-wafers de semi-conducteurs composés basés sur l'épitaxie. Elle fournit à ses clients une variété de structures EPI pour l'électronique et l'optoélectronique cultivées sur l'arséniure de gallium (GaAs) et le phosphure d'indium (InP). Ses produits à base de GaAs comprennent les PHEMT (AlAs, InGaP Etch Stop) et les MHEMT. Ses produits à base d'InP comprennent les HBT (dopés C, dopés Be, GaAsSb), les HEMT, les RTT et les RTD. Ses produits à base de Sb comprennent des photodétecteurs SLS de type II, des HBT InP à base de GaAsSb et des substrats GaSb prêts pour l'EPI. Ses produits optoélectroniques comprennent des photodiodes à avalanche (APD), des lasers (750 nm à 1100 nm), des VCSEL, des PIN (GaAs, InP), des QWIP, des modulateurs et des lasers à cascade quantique. Elle utilise sa technologie de surveillance de la croissance in situ et en temps réel sur les systèmes d'épitaxie par faisceaux moléculaires (MBE) pour la fabrication de wafers EPI sur des substrats GaAs et InP.